物理氣相沉積介紹之真空卷繞（rào）鍍膜技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷)是在真空下應用不同方法（fǎ）在（zài）柔性基體上實現連續鍍膜的一種（zhǒng）技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分析等（děng）多方麵內容。其重點是，在保證鍍膜質（zhì）量前提下提高卷繞速率、控製鍍膜穩定性及實施在線監控。卷對卷（juàn）技術成本低、易操（cāo）作、與柔性基底相容、生產率高及可連續鍍多層膜等（děng）優點。第一台真空蒸發卷繞鍍膜機1935年製成，現可鍍幅寬由500至（zhì）2500mm。卷（juàn）對卷技術應用由包裝和裝飾用膜，近年逐漸擴大至激光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未來柔性電子等行業的主流技術之一。
        真空卷繞鍍膜係統按結構可分為單（dān）室、雙室和多室真空卷繞係統，後兩者可解決（jué）開（kāi）卷放氣問題並分別控製卷繞和鍍膜室各自（zì）真空度（dù）。卷繞張力控（kòng）製分錐（zhuī）度、間接和直接控製模型，錐度控製模型可解決薄膜褶（zhě）皺和徑向力分布不均（jun1）的問題（tí）；間接張力控製無需傳感器（qì），可（kě）用內置張力控製模塊（kuài）的矢量變頻器代替；直接張力控製通過張（zhāng）力傳感器（qì）精確測量張（zhāng）力值，但需慣性矩和角速度等多種（zhǒng）參數。真空（kōng）卷繞鍍（dù）膜主要有真空蒸發、磁控濺射等方式（shì），可用於（yú）製（zhì）備新型高折射率薄膜、石墨烯等納米材料和（hé）柔性太陽能電池等半導體器（qì）件。針對真空卷繞鍍膜技術研究現狀及向產業化過渡存在的問題，最後作了簡要（yào）分析與展望。
        真空卷對卷設備由（yóu）抽真空、卷（juàn）繞、鍍膜和電（diàn）氣（qì）控製（zhì）等係統組成。真（zhēn）空卷（juàn）繞鍍膜設備根（gēn）據真空（kōng）室有無擋板（bǎn），可分單室、雙室和多室結構。單室的收放卷輥和鍍膜（mó）輥（gǔn）在同一室中，結構簡單但開卷（juàn）時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統用擋（dǎng）板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題。多室常用於製備複合薄（báo）膜，在雙室基礎（chǔ）上將相鄰鍍膜區用擋板隔（gé）開（kāi）避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定（dìng）於兩磁控濺射靶（bǎ）間，板兩側塗覆50μm的銅層。分（fèn）隔擋板與真空室壁狹縫越小越好。據鍍膜時輥筒作用（yòng）分為單主輥和多（duō）主輥卷繞鍍膜機。據電機個數，則可分為兩電機、三電（diàn）機（jī）和（hé）四（sì）電機驅動（dòng）係（xì）統。

下一個（gè）：真空鍍膜機所以在後掩蔽和清洗輥速度不太快