偏壓（Bias)是指在鍍膜過（guò）程中施加在基（jī）體上的負電壓。偏壓電源的正（zhèng）極（jí）接到真（zhēn）空室（shì）上，同時真（zhēn）空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地（dì）的電壓一般認為是零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓（yā），簡稱偏（piān）壓。

負偏壓的作用
提供粒（lì）子能量；
對於基片（piàn）的（de）加熱效應；
清除基片上（shàng）吸附的氣體和油汙等，有利於提高膜層（céng）結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏壓（yā）的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加脈衝（chōng）偏壓（yā）
雙極性（xìng）脈衝偏壓

直流偏（piān）壓和脈（mò）衝偏壓的比較

傳統的電（diàn）弧離子鍍是在基片台上施加直流負偏壓控製（zhì）離子轟擊（jī）能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫度低的基體上沉（chén）積硬質膜（mó）。
        高能（néng）離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過（guò）提高離子（zǐ）轟擊能量合成高反應閾能的硬（yìng）質薄膜。
直流偏（piān）壓電弧離子鍍工藝中（zhōng）,為了抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的基體溫度（dù）過高,主要采取（qǔ）減少沉（chén）積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些措施可以概括地稱為能（néng）量控製法'這種方法雖然（rán）可以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時（shí）還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧（hú）離（lí）子（zǐ）鍍工（gōng）藝中（zhōng）,由於（yú）離子是以非連續的（de）脈衝方式轟擊基體（tǐ）表麵,所以通過調節脈（mò）衝偏壓的占（zhàn）空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改（gǎi）變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫度的（de）目的。這樣就可以把施加偏壓（yā）的脈衝高度與工件溫度獨（dú）立分開(互不影響或影響很小)調節（jiē）,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊效應以改（gǎi）善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加（jiā）熱效應（yīng）以降低沉積溫度。

偏壓對膜（mó）層的影響

偏壓（yā）對膜層的影響（xiǎng）機製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據自（zì）己的使用工藝，觀察總（zǒng）結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影（yǐng）響（xiǎng）規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構（gòu）
        沉積速（sù）率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層（céng）致（zhì）密度
        表（biǎo）麵形貌
        內應力

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